投资2000万美元，制造纳微本身碳化硅外延片产能

加利福尼亚州托伦斯，2023年5月30日讯：下一代功率半导体行业带领者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式公布其一系列计谋制造投资打算中的第一项，将晋升旗下 GeneSiC 碳化硅(SiC) 功率半导体的整体产能把控，下降本钱并晋升营收能力。

首批次2000万美元的投资将用在公司总部地点地加利福尼亚州托伦斯，为其配备三台碳化硅外延材料发展装备。出产碳化硅功率器件的第一步，是将碳化硅外延层添加到未加工的碳化硅晶圆上。公司估计第一台爱思强(AIXTRON) G10-SiC外延反映炉将在2024年完全投入出产，可出产6英寸和8英寸晶圆。

纳微半导体认为，由新举措措施供给的外延发展能力是一项极为要害的工艺，能够撑持多达2亿美元的年产值增加。同时，纳微估计将继续利用第三方供给商供给额外的碳化硅外延发展、晶圆制造和封装操作。

“我们很是高傲，如斯主要的手艺立异者纳微半导体，选择我们新型的G10-SiC以增进碳化硅在节能功率器件这一快速成长的市场中的利用。AIXTRON和纳微半导体作为鞭策氮化镓和碳化硅不竭代替保守硅功率器件的果断践行者和手艺前驱，这一合作显得尤其主要。恰是经由过程像我们如许高度立异的企业配合合作，才能实现这一主要改变。”

爱思强 （AIXTRON SE）

CEO兼董事长

Felix Grawert

“将高质量的碳化硅外延层添加到未经加工的碳化硅晶圆上是制造碳化硅器件之前的要害工艺步调，经由过程将AIXTRON的内部外延发展能力添加到现有的外包流程中能够扩年夜产能，下降制品晶圆本钱，提高质量并缩短出产周期。纳微与Aixtron的开辟和制造营业合作包罗延续的手艺和配合研发撑持。”

纳微半导体结合开创人

兼首席手艺官/首席运营官

Dan Kinzer

纳微半导体投资其内部碳化硅外延发展能力，是纳微的数项行动之一，方针在在撑持公司比来公布的，估计将来无望达7.6亿美元价值的在研客户项目。在研客户项目价值是基在客户对合适资历项目标爱好而�����APP估算出来的。虽然在研项目转化为定单或出货同时取决在除现有产能以外的很多身分，但纳微估计，其碳化硅外延发展能力的晋升，将在年夜大都预期打算环境下带来有益的投资报答。

纳微半导体近期完成了8万万美元的增发股票融资，公司打算将此次召募资金除用作营运资金和一般运营用处，还将用在计谋性制造环节投资。