7月11日，2023慕尼黑上海电子展(Electronica China)在上海国度会展中间揭幕，本届展会以“融会立异、智引将来”为主题，会聚半导体、无源器件、智能网联&新能源汽车、传感器、毗连器、开关、线束线缆、电源、测试丈量、印刷电路板、电子制造办事、进步前辈制造等企业，制造从产物设想到利用落地的横跨财产上下流的专业展现平台，以立异手艺增进中国电子财产成长。

        普赛斯仪表努力在半导体测试高端设备的国产化，携全系列半导体电机能测试主力产物和半导体范畴从材料、晶圆到器件测试处理方案表态本次展会，吸引浩繁项目师和行业佳宾前来体验交换。

        测试丈量是全部电子财产质量节制的有用手段，半导体按照出产环节分歧，质量节制分为前道检测、中道检测和后道测试。前道检测又称为进程工艺检测，面向晶圆制造，查抄光刻、刻蚀、薄膜堆积、清洗、CMP等晶圆制造环节后产物加工参数是不是到达设想要求或具有影响良率缺点，方向物理性检测；中道检测面向进步前辈封装，以光学等非接触式手段针对重布线布局、凸点与硅通孔等晶圆制造环节的质量节制；后道测试首要面向晶圆检测（CP，Circuit Probing）和制品测试（FT，Final Test），查抄芯片机能是不是合适要求，方向电机能检测。

        环绕半导体的电机能测试，普赛斯仪表示场展现了自立研发的源表系列(SMU)、脉冲恒流源 (FIMV)、高压电源 (FIMV、FVMI)、脉冲恒压源和数据收集卡五年夜类产物，涵盖直流源表、脉冲源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度的超年夜电流源、高精度高压电源、数据收集卡等国产化电机能测试仪表，其不变性、靠得住性、分歧性获得普遍的市场验证。

聚焦第三代半导体快速成长下企业面对的窘境和挑战，普赛斯仪表副总司理兼研发手艺担任人王承与现场佳宾进行了更深条理的切磋。

SiC/IGBT 功率半导体器件测试

        针对SiC/�����APPIGBT器件在测试中具有的测禁绝、测不全、靠得住性和效力低的问题，普赛斯仪表保举一种基在国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案，具有更优的测试能力、更正确的丈量成果、更高的靠得住性与更周全的测试能力。具有高电压(3500V)和年夜电流(6000A)特征、μΩ级导通电阻切确丈量、nA级电流丈量能力等特点。撑持高压模式下丈量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

GaN 功率半导体器件测试

        针对氮化镓(GaN)包罗砷化镓(GaAs)等材料组成的高速器件的I-V测试，普赛斯仪表全新推出的CP系列脉冲恒压源能够高效快速处理测试困难。产物具有脉冲电流最高可至10A、脉冲宽度最小可低至100ns；撑持直流、脉冲两种电压输出模式等特点。产物可利用在GaN的自热效应，脉冲S参数测试等场所。

        科学仪器赛道长坡厚雪，国产替换需求强烈。普赛斯仪表将延续立异，不竭鞭策财产链上下流合作联动，以优良的产物与办事助力客户实现财产增值，共赴可延续将来。

 

展会为期3天，7月11日-13日

展位号：6.2H C613

普赛斯仪表等候您的莅临！