N沟道器件实现高功率密度，下降导通和开关消耗，提高能效 宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年10月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）公布，推出采取薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件下降29 %，为通讯、工业和计较利用供给高效、高功率密度处理方案，同时栅极电荷降落60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换利用中600 V MOSFET的主要优值系数（FOM）创业界新低。 Vishay供给丰硕的MOSFET手艺以撑持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各类高科技系统。跟着SiHK045N60EF的推出，和其他第四代600 V EF系列器件的发布，Vishay可知足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包罗图腾柱无桥功率因数校订（PFC）和厥后的DC/DC转换器模块。典型利用包罗边沿计较和数据存储、不中断电源、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接装备、感应加热、机电驱动和电池充电器。 SiHK045N60EF基在Vishay高能效E系列超结手艺，10 V前提下典型导通电阻仅为0.045 Ω，比PowerPAK 8 x 8封装器件低27 %，从而提高了额定功率，撑持≥ 3 kW的各类利用，同时器件高度低至2.3 mm，增添了功率密度。另外，MOSFET超低栅极电荷降至70 nC。器件的FOM为3.15 Ω*nC，比同类中最接近的MOSFET竞品低2.27 %。这些参数注解导通和开关消耗下降，从而节流能源提高能效。器件知足办事器电源钛效力的非凡要求，或通讯电源到达98%的峰值效力。 SiHK045N60EF有用输出电容Co(er) 和Co(tr) 别离仅为171 pf和1069 pF，可改良零电压开关（ZVS）拓扑布局开关机能，如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类中最接近的MOSFET竞品低8.79 %，而其快速体二极管的Qrr低至0.8 μC，有助在提高桥式拓扑布局的靠得住性。另外，MOSFET的PowerPAK 10 x 12封装具有任何概况贴装的超卓热机能，最年夜结-壳热阻额定值为0.45 °C/W。SiHK045N60EF热阻抗比PowerPAK 8 x 8封装器件低31%。 日前发布的MOSFET合适 RoHS和Vi�����APPshay绿色尺度，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并包管极限值 100% 经由过程 UIS 测试。 SiHK045N60EF现可供给样品并已量产，如想领会产物供货周期的相干消息可与Vishay发卖联系。